FormFactor 8英寸全自动晶圆测试探针台SUMMIT200
1、8英寸自动晶探针台,满足8英寸及以下半导体器件测试表征。
2、、从Lab到Fab的设计理念,用于半导体器件建模提参、测试表征、设计验证、工艺监控以及工程量产的测试。
3、测试用途
3.1 配相应的测试仪表可以对MOS管/晶体管/MEMS/光电裸片、器件/薄膜等进行I-V、C-V、Qg/Qgs/Qgd等功能参数测试,表征半导体器件的关断、导通、击穿、结寄生电
容、积累电荷等参数。
3.2 DC-1.1THz的无源射频射频测试,以及有源功率半导体器件的负载-牵引测试。
3.3 硅光半导体晶圆级Grating 平面耦合测量、Die级 edge端面耦合测量。
3.4 光伏、MEMS等应用半导体领域测量。
2、、从Lab到Fab的设计理念,用于半导体器件建模提参、测试表征、设计验证、工艺监控以及工程量产的测试。
3、测试用途
3.1 配相应的测试仪表可以对MOS管/晶体管/MEMS/光电裸片、器件/薄膜等进行I-V、C-V、Qg/Qgs/Qgd等功能参数测试,表征半导体器件的关断、导通、击穿、结寄生电
容、积累电荷等参数。
3.2 DC-1.1THz的无源射频射频测试,以及有源功率半导体器件的负载-牵引测试。
3.3 硅光半导体晶圆级Grating 平面耦合测量、Die级 edge端面耦合测量。
3.4 光伏、MEMS等应用半导体领域测量。
SUMMIT200产品特征:
1、8英寸自动晶探针台,满足8英寸及以下半导体器件测试表征。
2、从Lab到Fab的设计理念,用于半导体器件建模提参、测试表征、设计验证、工艺监控以及工程量产的测试。
3、测试用途
- 3.1 低噪声直流fA级IV/CV测量,高低温卡盘漏电小至3fA,常温卡盘漏电至1fA。
- 3.2 探针台搭配相应的测试仪表可以对MOS管/晶体管/MEMS/光电裸片、器件/薄膜等进行I-V、C-V、Qg/Qgs/Qgd等功能参数测试,表征半导体器
- 件的关断、导通、击穿、结寄生电容、积累电荷等参数。
- 3.3 DC-1.1THz的无源射频射频测试,以及有源功率半导体器件的负载-牵引测试。
- 3.4 硅光半导体晶圆级Grating 平面耦合测量、Die级 edge端面耦合测量。
- 3.5 光伏、MEMS等应用半导体领域测量。
- 4、温度范围-60℃-300℃,分辨率0.1℃
- 5、具有光、电磁屏蔽微暗室以及屏蔽帽
- 6、VOELX控制软件集成温控系统、卡盘伺服运动系统、自动识别物镜在位技术、支持屏幕导航定位、晶圆ALIGN、MAP、Sub-Die、Cluster Die等
- 功能,且可以无缝和第三方测试应用软件集成。
- 7、配置数字图像观察系统,内置多个CCD,以不同放大倍率多画面显示待测器件。具有物镜智能检测和识别技术,长寿命LED照明,具备手动控制和
- 软件两种控制模式,实现亚微米聚焦。配置10X/5X物镜,1um/2um光学分辨率,综合放大倍率>1000X。
- 8、EVue Pro版本显微镜能具有随卡盘跟随聚焦功能,Z行程4.0mm,分辨率0.2um,具有芯片不平整度自动扫描和补偿功能。
- 9、载物台Y方向可拉从微暗室充分拉出,十分方便和安全地装载/卸载晶圆,同时也易于操作、观察芯片。
- 10、探针台载物台XY轴移动行程≥203mmX203mm,XY轴分辨率≤0.2um,重复性≤1.5um,速度≥100mm/sec;Z轴行程
- ≥35.0mm,分辨率≤1um,重复性≤1um. Theta移动范围 ≥±7.5°分辨率≤0.5um,重复性≤1.5μm
- 11、台板预留探针夹持器位置,也升级到探卡测量方案。
- 12、集成一体化抗震系统。
- 13、仅需要升级Loader,可无缝升级为全自动探针台方案。
- 14、具有CE,cNRTLus,SEMI S2,SEMI S8等认证
- 15、其他可选项:
- 15.1 智能接触技术,保证变温下小Pad器件的扎针质量
- 15.2 光、电磁屏蔽、Tophat、AttoGuard低噪声技术为IV/CV测量
- 15.3 PureLine™超低噪声技术为IV/CV测量。
- 15.4 VueTrack™ 现场Pad-Pad的Align技术。
- 15.5 ContactView™ 东西侧视成像技术用于探卡测量。